លេខផ្នែក :
SI8497DB-T2-E1
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
13A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
2V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1.1V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
49nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
1320pF @ 15V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
6-microfoot