Vishay Siliconix - SI2316BDS-T1-E3

KEY Part #: K6405278

SI2316BDS-T1-E3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [367832pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.10056
  • 3,000 pcs$0.09462

លេខផ្នែក:
SI2316BDS-T1-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-E3 electronic components. SI2316BDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2316BDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2316BDS-T1-E3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SI2316BDS-T1-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
ស៊េរី : TrenchFET®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 4.5A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 50 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 3V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 9.6nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 350pF @ 15V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : SOT-23-3 (TO-236)
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ