លេខផ្នែក :
IPP50R380CEXKSA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
500V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
9.9A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
13V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
380 mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
3.5V @ 260µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
24.8nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
584pF @ 100V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
Super Junction
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
73W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
PG-TO220-3
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-220-3