IXYS - IXFH86N30T

KEY Part #: K6416350

IXFH86N30T តម្លៃ (ដុល្លារ) [14035pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$3.24594
  • 90 pcs$3.22979

លេខផ្នែក:
IXFH86N30T
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
IXYS
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in IXYS IXFH86N30T electronic components. IXFH86N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH86N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH86N30T គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : IXFH86N30T
ក្រុមហ៊ុនផលិត : IXYS
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
ស៊េរី : HiPerFET™, TrenchT2™
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 300V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 86A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 43 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 5V @ 4mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 180nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 11300pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 860W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : TO-247AD (IXFH)
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-247-3

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.