IXYS - IXFP4N100P

KEY Part #: K6395185

IXFP4N100P តម្លៃ (ដុល្លារ) [41564pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

លេខផ្នែក:
IXFP4N100P
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
IXYS
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in IXYS IXFP4N100P electronic components. IXFP4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP4N100P គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : IXFP4N100P
ក្រុមហ៊ុនផលិត : IXYS
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
ស៊េរី : HiPerFET™, PolarP2™
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 1000V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 4A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 26nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 1456pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 150W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : TO-220AB
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-220-3

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.