ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Microsemi Corporation
ការពិពណ៌នា :
POWER MOSFET - SIC
ស្ថានភាពផ្នែក។ :
Obsolete
បច្ចេកវិទ្យា។ :
SiCFET (Silicon Carbide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
1200V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
25A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
-
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.5V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
72nC @ 20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
-
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
175W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Chassis Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
D3
កញ្ចប់ / ករណី។ :
D-3 Module