ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Diodes Incorporated
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
100V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
900mA (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
500 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
3V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
-
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
350pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
850mW (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
TO-92-3
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)