ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Rohm Semiconductor
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
ស្ថានភាពផ្នែក។ :
Not For New Designs
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
600V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
12A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
420 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
4.5V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
35nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
1300pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
100W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
LPTS
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB