ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 200V 108A
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
200V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
108A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
5.5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
161nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
10720pF @ 50V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
405W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Chassis Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
SOT-227
កញ្ចប់ / ករណី។ :
SOT-227-4, miniBLOC