IXYS - IXTY2N100P

KEY Part #: K6417896

IXTY2N100P តម្លៃ (ដុល្លារ) [45069pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$1.00270
  • 70 pcs$0.99771

លេខផ្នែក:
IXTY2N100P
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
IXYS
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in IXYS IXTY2N100P electronic components. IXTY2N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY2N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY2N100P គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : IXTY2N100P
ក្រុមហ៊ុនផលិត : IXYS
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
ស៊េរី : Polar™
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 1000V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 2A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 4.5V @ 100µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 24.3nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 655pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 86W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : TO-252, (D-Pak)
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.