លេខផ្នែក :
IPN70R900P7SATMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CHANNEL 700V 6A SOT223
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
700V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
6A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
900 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
3.5V @ 60µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
6.8nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
211pF @ 400V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
6.5W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
PG-SOT223
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-261-3