លេខផ្នែក :
SI8429DB-T1-E1
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
8V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
11.7A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
1.2V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
800mV @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
26nC @ 5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
1640pF @ 4V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
4-Microfoot
កញ្ចប់ / ករណី។ :
4-XFBGA, CSPBGA