Vishay Siliconix - SI4914BDY-T1-E3

KEY Part #: K6524029

SI4914BDY-T1-E3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [3968pcs ស្តុក]

  • 2,500 pcs$0.24363

លេខផ្នែក:
SI4914BDY-T1-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3 electronic components. SI4914BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4914BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4914BDY-T1-E3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SI4914BDY-T1-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
ស៊េរី : LITTLE FOOT®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Obsolete
ប្រភេទហ្វីត។ : 2 N-Channel (Half Bridge)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : Standard
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 8.4A, 8A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 2.7V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 10.5nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : -
ថាមពល - អតិបរមា។ : 2.7W, 3.1W
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 8-SO

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ