លេខផ្នែក :
SI4511DY-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
ស្ថានភាពផ្នែក។ :
Obsolete
ប្រភេទហ្វីត។ :
N and P-Channel
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
Logic Level Gate
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
20V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
7.2A, 4.6A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1.8V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
18nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
-
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
8-SO