ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Toshiba Semiconductor and Storage
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
40V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
65A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.5V @ 300µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
39nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
2550pF @ 10V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
107W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
DPAK+
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63