លេខផ្នែក :
TH58NVG3S0HBAI4
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Toshiba Memory America, Inc.
ការពិពណ៌នា :
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
ប្រភេទអង្គចងចាំ។ :
Non-Volatile
ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ :
FLASH
បច្ចេកវិទ្យា។ :
FLASH - NAND (SLC)
សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ :
25ns
ចំណុចប្រទាក់សតិ។ :
Parallel
វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ :
2.7V ~ 3.6V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-40°C ~ 85°C (TA)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
63-VFBGA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
63-TFBGA (9x11)