Microsemi Corporation - JAN1N5807US

KEY Part #: K6453027

ការពិពណ៌នាលំអិត:: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 50V ULTRAFAST RECT- SQ END CAPS

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5807US electronic components. JAN1N5807US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5807US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : JAN1N5807US

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Microsemi Corporation

ការពិពណ៌នា : DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

ស៊េរី : Military, MIL-PRF-19500/477

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard

វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 50V

បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 6A

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 875mV @ 4A

ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 30ns

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 5µA @ 50V

សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 60pF @ 10V, 1MHz

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : SQ-MELF, B

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : B, SQ-MELF

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -65°C ~ 175°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

C3D10065E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A
VS-HFA08SD60S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
VS-50WQ10FN-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
VS-HFA04SD60STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.
VS-10WQ045FN-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
VS-8EWF12S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ