Comchip Technology - CDBDSC10650-G

KEY Part #: K6441607

ការពិពណ៌នាលំអិត:: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Comchip Technology CDBDSC10650-G electronic components. CDBDSC10650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC10650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : CDBDSC10650-G

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Comchip Technology

ការពិពណ៌នា : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Silicon Carbide Schottky

វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 650V

បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 33A (DC)

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1.7V @ 10A

ល្បឿន។ : No Recovery Time > 500mA (Io)

ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 0ns

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 100µA @ 650V

សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 690pF @ 0V, 1MHz

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : D-PAK (TO-252)

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -55°C ~ 175°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

CDBDSC8650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
CDBDSC10650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
CDBDSC5650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
VS-8EWS10STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
VS-8EWS10STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
VS-CPU6006L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ