លេខផ្នែក :
SI5920DC-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
ស្ថានភាពផ្នែក។ :
Obsolete
ប្រភេទហ្វីត។ :
2 N-Channel (Dual)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
Logic Level Gate
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
8V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
4A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
12nC @ 5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
680pF @ 4V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-SMD, Flat Lead
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
1206-8 ChipFET™