ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42VM16800H-6BLI-TR

KEY Part #: K939347

ការពិពណ៌នាលំអិត:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 166Mhz, RoHS

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-6BLI-TR electronic components. IS42VM16800H-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42VM16800H-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : IS42VM16800H-6BLI-TR

ក្រុមហ៊ុនផលិត : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ការពិពណ៌នា : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile

ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM

បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM - Mobile

ទំហំសតិ។ : 128Mb (8M x 16)

ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 166MHz

សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : -

ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 5.5ns

ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel

វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 1.7V ~ 1.95V

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -40°C ~ 85°C (TA)

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : 54-TFBGA

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 54-TFBGA (8x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ