ការពិពណ៌នា :
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
500V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
11A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
130nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
4700pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
300W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
TO-268
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA