ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Diodes Incorporated
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
6.2A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
2.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1.8V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
18.4nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
873pF @ 15V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
900mW (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 155°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
SOT-23
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3