លេខផ្នែក :
2SK2845(TE16L1,Q)
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Toshiba Semiconductor and Storage
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 900V 1A DP
ស្ថានភាពផ្នែក។ :
Obsolete
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
900V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
1A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
4V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
15nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
350pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
40W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
DP
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63