ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Rohm Semiconductor
ការពិពណ៌នា :
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
600V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
4A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
15V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
7V @ 450µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
10.5nC @ 15V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
260pF @ 100V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
60W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
TO-252
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63