ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Renesas Electronics America
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
900V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
6A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
-
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
-
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
980pF @ 10V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
60W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
TO-3P
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-3P-3, SC-65-3