Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-E3/TR

KEY Part #: K6452662

BYG10J-E3/TR តម្លៃ (ដុល្លារ) [833970pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.04724
  • 1,800 pcs$0.04701
  • 3,600 pcs$0.04231
  • 5,400 pcs$0.03996
  • 12,600 pcs$0.03643
  • 45,000 pcs$0.03408

លេខផ្នែក:
BYG10J-E3/TR
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នាលំអិត:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-E3/TR electronic components. BYG10J-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10J-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-E3/TR គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : BYG10J-E3/TR
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នា : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Avalanche
វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 600V
បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 1.5A
វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1.15V @ 1.5A
ល្បឿន។ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 4µs
ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 1µA @ 600V
សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : -
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : DO-214AC, SMA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : DO-214AC (SMA)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -55°C ~ 150°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast