Infineon Technologies - BSP135H6327XTSA1

KEY Part #: K6419875

BSP135H6327XTSA1 តម្លៃ (ដុល្លារ) [140794pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.26271
  • 1,000 pcs$0.23558

លេខផ្នែក:
BSP135H6327XTSA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Infineon Technologies BSP135H6327XTSA1 electronic components. BSP135H6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP135H6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP135H6327XTSA1 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : BSP135H6327XTSA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
ស៊េរី : SIPMOS®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 600V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 120mA (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 0V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 1V @ 94µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 4.9nC @ 5V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 146pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : Depletion Mode
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 1.8W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : SOT-223-4
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-261-4, TO-261AA

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ