Vishay Siliconix - SIS407DN-T1-GE3

KEY Part #: K6416856

SIS407DN-T1-GE3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [196638pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.18810
  • 3,000 pcs$0.17663

លេខផ្នែក:
SIS407DN-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SIS407DN-T1-GE3 electronic components. SIS407DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS407DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS407DN-T1-GE3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SIS407DN-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK
ស៊េរី : TrenchFET®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : P-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 20V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 25A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 1.8V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 1V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 93.8nC @ 8V
Vgs (អតិបរមា) : ±8V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 2760pF @ 10V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 3.6W (Ta), 33W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : PowerPAK® 1212-8
កញ្ចប់ / ករណី។ : PowerPAK® 1212-8

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.