Infineon Technologies - IPD80R2K8CEATMA1

KEY Part #: K6415753

IPD80R2K8CEATMA1 តម្លៃ (ដុល្លារ) [198305pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.18652
  • 2,500 pcs$0.15227

លេខផ្នែក:
IPD80R2K8CEATMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1 electronic components. IPD80R2K8CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R2K8CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80R2K8CEATMA1 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : IPD80R2K8CEATMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
ស៊េរី : CoolMOS™ CE
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 800V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 1.9A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 3.9V @ 120µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 12nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 290pF @ 100V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 42W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : PG-TO252-3
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • FDD86380-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

  • FQD3P50TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • FDD5690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

  • RFD14N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

  • FDD86113LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

  • FDD6637

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.