Infineon Technologies - BSC016N03LSGATMA1

KEY Part #: K6419848

BSC016N03LSGATMA1 តម្លៃ (ដុល្លារ) [138214pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.28610
  • 5,000 pcs$0.28468

លេខផ្នែក:
BSC016N03LSGATMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Infineon Technologies BSC016N03LSGATMA1 electronic components. BSC016N03LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC016N03LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC016N03LSGATMA1 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : BSC016N03LSGATMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
ស៊េរី : OptiMOS™
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Not For New Designs
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 32A (Ta), 100A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 1.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 2.2V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 131nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 10000pF @ 15V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 2.5W (Ta), 125W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : PG-TDSON-8
កញ្ចប់ / ករណី។ : 8-PowerTDFN

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ