ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S83200G-6TL

KEY Part #: K938127

ការពិពណ៌នាលំអិត:: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M 32Mx8 166MHz SDR SDRAM, 3.3V

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL electronic components. IS42S83200G-6TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S83200G-6TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : IS42S83200G-6TL

ក្រុមហ៊ុនផលិត : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ការពិពណ៌នា : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile

ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM

បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM

ទំហំសតិ។ : 256Mb (32M x 8)

ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 166MHz

សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : -

ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 5.4ns

ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel

វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 3V ~ 3.6V

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : 0°C ~ 70°C (TA)

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 54-TSOP II

Silicom MinnowBoard Turbot

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ