ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16160J-7BLI

KEY Part #: K939390

ការពិពណ៌នាលំអិត:: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BLI electronic components. IS42S16160J-7BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S16160J-7BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : IS42S16160J-7BLI

ក្រុមហ៊ុនផលិត : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ការពិពណ៌នា : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile

ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM

បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM

ទំហំសតិ។ : 256Mb (16M x 16)

ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 143MHz

សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : -

ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 5.4ns

ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel

វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 3V ~ 3.6V

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -40°C ~ 85°C (TA)

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : 54-TFBGA

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 54-TFBGA (8x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ