Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP50AHE3/54

KEY Part #: K6447609

[1366pcs ស្តុក]


    លេខផ្នែក:
    EGP50AHE3/54
    ក្រុមហ៊ុនផលិត:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    ការពិពណ៌នាលំអិត:
    DIODE GEN PURP 50V 5A GP20.
    Manufacturer's standard lead time:
    នៅ​ក្នុង​ស្តុក
    ជីវិតធ្នើ:
    មួយ​ឆ្នាំ
    ជីបពី:
    ហុងកុង
    RoHS:
    វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
    មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
    ក្រុមគ្រួសារ:
    ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
    គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP50AHE3/54 electronic components. EGP50AHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP50AHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP50AHE3/54 គុណលក្ខណៈផលិតផល

    លេខផ្នែក : EGP50AHE3/54
    ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ការពិពណ៌នា : DIODE GEN PURP 50V 5A GP20
    ស៊េរី : SUPERECTIFIER®
    ស្ថានភាពផ្នែក។ : Obsolete
    ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard
    វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 50V
    បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 5A
    វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 950mV @ 5A
    ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 50ns
    ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 5µA @ 50V
    សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 95pF @ 4V, 1MHz
    ប្រភេទម៉ោន។ : Through Hole
    កញ្ចប់ / ករណី។ : DO-201AA, DO-27, Axial
    កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : GP20
    សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -65°C ~ 150°C

    អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • EGL34DHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • EGL34FHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.