Microsemi Corporation - JANTX1N5804US

KEY Part #: K6431598

ការពិពណ៌នាលំអិត:: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 100V HR

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5804US electronic components. JANTX1N5804US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5804US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : JANTX1N5804US

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Microsemi Corporation

ការពិពណ៌នា : DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

ស៊េរី : Military, MIL-PRF-19500/477

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard

វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 100V

បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 1A

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 875mV @ 1A

ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 25ns

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 1µA @ 100V

សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 25pF @ 10V, 1MHz

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : SQ-MELF, A

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : D-5A

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -65°C ~ 175°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

1SS193,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
SICRD10650CTTR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
V12PM10HM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
AR3PM-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 1KV 1.6A TO277. Rectifiers 3A,1000V,Fast RecoveryAvalanche SM
V12P8-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.
VS-6ESH06-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 600V

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ