លេខផ្នែក :
IPC26N12NX1SA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
120V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
1A (Tj)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
4V @ 244µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
-
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
-
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
-
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
Sawn on foil