Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8021-H(TE12LQ,M

KEY Part #: K6407770

[859pcs ស្តុក]


    លេខផ្នែក:
    TPC8021-H(TE12LQ,M
    ក្រុមហ៊ុនផលិត:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    ការពិពណ៌នាលំអិត:
    MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B.
    Manufacturer's standard lead time:
    នៅ​ក្នុង​ស្តុក
    ជីវិតធ្នើ:
    មួយ​ឆ្នាំ
    ជីបពី:
    ហុងកុង
    RoHS:
    វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
    មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
    ក្រុមគ្រួសារ:
    ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
    គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8021-H(TE12LQ,M electronic components. TPC8021-H(TE12LQ,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8021-H(TE12LQ,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC8021-H(TE12LQ,M គុណលក្ខណៈផលិតផល

    លេខផ្នែក : TPC8021-H(TE12LQ,M
    ក្រុមហ៊ុនផលិត : Toshiba Semiconductor and Storage
    ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
    ស៊េរី : -
    ស្ថានភាពផ្នែក។ : Obsolete
    ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
    បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
    បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 30V
    ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 11A (Ta)
    វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 4.5V, 10V
    Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 17 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 2.3V @ 1mA
    បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 11nC @ 10V
    Vgs (អតិបរមា) : ±20V
    សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 640pF @ 10V
    លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
    ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 1W (Ta)
    សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : 150°C (TJ)
    ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
    កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 8-SOP (5.5x6.0)
    កញ្ចប់ / ករណី។ : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

    អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ