Winbond Electronics - W949D2DBJX5E

KEY Part #: K939792

ការពិពណ៌នាលំអិត:: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Winbond Electronics W949D2DBJX5E electronic components. W949D2DBJX5E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D2DBJX5E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : W949D2DBJX5E

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Winbond Electronics

ការពិពណ៌នា : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile

ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM

បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM - Mobile LPDDR

ទំហំសតិ។ : 512Mb (16M x 32)

ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 200MHz

សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : 15ns

ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 5ns

ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel

វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 1.7V ~ 1.95V

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -25°C ~ 85°C (TC)

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : 90-TFBGA

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 90-VFBGA (8x13)

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

N01S818HAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT
N01S830HAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM
N01S830BAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT
MB85AS4MTPF-G-BCERE1

Fujitsu Electronics America, Inc.

IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.
R1LP5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP
R1LV5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube