លេខផ្នែក :
SI4829DY-T1-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
20V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
2A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
2.5V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1.5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
8nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
210pF @ 10V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
Schottky Diode (Isolated)
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
2W (Ta), 3.1W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
8-SO
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)