លេខផ្នែក :
SI1922EDH-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
ប្រភេទហ្វីត។ :
2 N-Channel (Dual)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
Logic Level Gate
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
20V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
1.3A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
198 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
2.5nC @ 8V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
-
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
SC-70-6 (SOT-363)