Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS404,H3F

KEY Part #: K6456438

1SS404,H3F តម្លៃ (ដុល្លារ) [2710765pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.01440
  • 3,000 pcs$0.01433
  • 6,000 pcs$0.01246
  • 15,000 pcs$0.01059
  • 30,000 pcs$0.00997
  • 75,000 pcs$0.00935
  • 150,000 pcs$0.00831

លេខផ្នែក:
1SS404,H3F
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Toshiba Semiconductor and Storage
ការពិពណ៌នាលំអិត:
DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC. Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky Barrier Diode
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404,H3F electronic components. 1SS404,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS404,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS404,H3F គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : 1SS404,H3F
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Toshiba Semiconductor and Storage
ការពិពណ៌នា : DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Schottky
វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 20V
បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 300mA
វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 450mV @ 300mA
ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : -
ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 50µA @ 20V
សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 46pF @ 0V, 1MHz
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : SC-76, SOD-323
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : USC
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : 125°C (Max)

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • FESB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single

  • BYWB29-100HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-200HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-50HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-150HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass