លេខផ្នែក :
PSMN8R5-108ESQ
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
NXP USA Inc.
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
ស្ថានភាពផ្នែក។ :
Obsolete
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
108V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
100A (Tj)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
4V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
111nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
5512pF @ 50V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
263W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
I2PAK
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA