លេខផ្នែក :
TK3R1A04PL,S4X
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Toshiba Semiconductor and Storage
ការពិពណ៌នា :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
40V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
82A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.4V @ 500µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
63.4nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
4670pF @ 20V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
36W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
TO-220SIS
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-220-3 Full Pack