ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ផ្ទះ
  2. ផលិតផល។
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846E-BMK0

Samsung Semiconductor - K4B4G0846E-BMK0

KEY Part #: K7359679

[20829pcs ស្តុក]

    លេខផ្នែក:
    K4B4G0846E-BMK0
    ក្រុមហ៊ុនផលិត:
    Samsung Semiconductor
    ការពិពណ៌នាលំអិត:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    នៅ​ក្នុង​ស្តុក
    ជីវិតធ្នើ:
    មួយ​ឆ្នាំ
    ជីបពី:
    ហុងកុង
    RoHS:
    វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
    មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
    ក្រុមគ្រួសារ:
    ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
    គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846E-BMK0 electronic components. K4B4G0846E-BMK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846E-BMK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846E-BMK0 គុណលក្ខណៈផលិតផល

    លេខផ្នែក : K4B4G0846E-BMK0
    ក្រុមហ៊ុនផលិត : Samsung Semiconductor
    ការពិពណ៌នា : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    ស៊េរី : DDR3
    ដង់ស៊ីតេ : 4 Gb
    org ។ : 512M x 8
    ល្បឿន : 1600 Mbps
    វ៉ុល : 1.35 V
    បណ្ដោះអាសន្ន។ : -40 ~ 95 °C
    កញ្ចប់ : 78FBGA
    ស្ថានភាពផលិតផល : Mass Production

    ព័ត៌មានថ្មីៗ

    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    The future of NAND technology
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung Z-SSD SZ985
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ