Infineon Technologies - IPD60R600CPATMA1

KEY Part #: K6402318

[2746pcs ស្តុក]


    លេខផ្នែក:
    IPD60R600CPATMA1
    ក្រុមហ៊ុនផលិត:
    Infineon Technologies
    ការពិពណ៌នាលំអិត:
    MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252.
    Manufacturer's standard lead time:
    នៅ​ក្នុង​ស្តុក
    ជីវិតធ្នើ:
    មួយ​ឆ្នាំ
    ជីបពី:
    ហុងកុង
    RoHS:
    វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
    មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
    ក្រុមគ្រួសារ:
    ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
    គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
    We specialize in Infineon Technologies IPD60R600CPATMA1 electronic components. IPD60R600CPATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R600CPATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R600CPATMA1 គុណលក្ខណៈផលិតផល

    លេខផ្នែក : IPD60R600CPATMA1
    ក្រុមហ៊ុនផលិត : Infineon Technologies
    ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
    ស៊េរី : CoolMOS™
    ស្ថានភាពផ្នែក។ : Obsolete
    ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
    បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
    បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 600V
    ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 6.1A (Tc)
    វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
    Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 600 mOhm @ 3.3A, 10V
    Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 3.5V @ 220µA
    បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 27nC @ 10V
    Vgs (អតិបរមា) : ±20V
    សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 550pF @ 100V
    លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
    ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 60W (Tc)
    សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
    កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : PG-TO252-3
    កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ