ON Semiconductor - FDG6335N

KEY Part #: K6522730

FDG6335N តម្លៃ (ដុល្លារ) [384734pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.09662
  • 3,000 pcs$0.09614

លេខផ្នែក:
FDG6335N
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
ON Semiconductor
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in ON Semiconductor FDG6335N electronic components. FDG6335N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG6335N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG6335N គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : FDG6335N
ក្រុមហ៊ុនផលិត : ON Semiconductor
ការពិពណ៌នា : MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
ស៊េរី : PowerTrench®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : 2 N-Channel (Dual)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : Logic Level Gate
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 20V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 700mA
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 1.5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 1.4nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 113pF @ 10V
ថាមពល - អតិបរមា។ : 300mW
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : SC-88 (SC-70-6)

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.