Diodes Incorporated - DMG4N65CTI

KEY Part #: K6396256

DMG4N65CTI តម្លៃ (ដុល្លារ) [76194pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.41392
  • 50 pcs$0.30208
  • 100 pcs$0.26313
  • 500 pcs$0.19490
  • 1,000 pcs$0.15592

លេខផ្នែក:
DMG4N65CTI
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Diodes Incorporated
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4N65CTI electronic components. DMG4N65CTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4N65CTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N65CTI គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : DMG4N65CTI
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Diodes Incorporated
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 650V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 4A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 13.5nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 900pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 8.35W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : ITO-220AB
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ