ការពិពណ៌នា :
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
ប្រភេទហ្វីត។ :
2 N-Channel (Half Bridge)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
GaNFET (Gallium Nitride)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
80V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
9.5A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.5V @ 2.5mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
2.5nC @ 5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
300pF @ 40V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
Die