លេខផ្នែក :
SUD19P06-60L-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
60V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
19A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
3V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
40nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
1710pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
2.7W (Ta), 46W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
TO-252, (D-Pak)
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63