GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

ការពិពណ៌នាលំអិត:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : MBR600200CTR

ក្រុមហ៊ុនផលិត : GeneSiC Semiconductor

ការពិពណ៌នា : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ។ : 1 Pair Common Anode

ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Schottky

វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 200V

បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ) : 300A

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 920mV @ 300A

ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : -

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 3mA @ 200V

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -55°C ~ 150°C

ប្រភេទម៉ោន។ : Chassis Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : Twin Tower

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : Twin Tower

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.