លេខផ្នែក :
SIB452DK-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
190V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
1.5A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
1.8V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1.5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
6.5nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
135pF @ 50V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
PowerPAK® SC-75-6L Single
កញ្ចប់ / ករណី។ :
PowerPAK® SC-75-6L